Yury Illarionov教授于1988年出生于列宁格勒（现圣彼得堡）。他在Peter the Great St-Petersburg Polytechnic University （俄罗斯）学习固体物理学，并分别于2009年和2011年获得理学学士和理学硕士学位。2010年到2012年，他获得(FAME) Erasmus Mundus奖学金项目，在Grenoble INP（法国）和University of Augsburg（德国）学习先进材料科学，并于2012年9月获得先进材料科学欧洲硕士学位（双硕士学位）。2015年1月，他获得了Ioffe Institute（俄罗斯）的半导体物理学博士学位，并于2015年12月获得了TU Wien（奥地利）的第二个博士学位。2016-2022年，他一直在TU Wien（奥地利）微电子研究所担任博士后研究员，一直以来大家知道该研究所有一个很强的TCAD模拟中心，但也由于Yury Illarionov教授在二维电子学的开创性研究而在世界范围内被熟知。Yury Illarionov教授已发表了100多篇论文，包括在Nature Electronics、Nature Communications、Advanced Materials、ACS Nano等顶级期刊上发表的论文（其中第一作者或通讯作者超过30篇）。2020年获得IEEE高级会员称号，并担任金砖国家青年科学家论坛俄罗斯官方代表。他还拥有非常广泛的国际合作网络，其中包括来自俄罗斯、中国、美国、德国和其他国家的顶尖科学家。Yury Illarionov教授于2023年4月加入南方科技大学。此外，他连续入选2024年和2025年斯坦福大学与爱思唯尔联合发布的“全球前2%顶尖科学家榜单”（World's Top 2% Scientists List）。

二维光电子学和纳米电子学

2015年12月 获得技术科学博士学位  (Dr. tech.) Technical University of Vienna (TU Wien), Vienna, Austria.

2015年1月 获得物理和数学科学（半导体物理学） 博士学位 Ioffe Institute, St-Petersburg, Russia.

2012年9月 获得先进材料科学欧洲硕士学位（双硕士学位）Erasmus Mundus FAME Master Program, Grenoble INP, France (2010-2011) and University of Augsburg, Germany (2011-2012)

2011年6月 获得工程和科技（技术物理学）硕士学位 [卓越毕业生]

St-Petersburg State Polytechnical University (Faculty of Physics and Technologies,

Department of Solid State Physics）

2009年6月 获得工程和科技（技术物理学）学士学位 [卓越毕业生]

St-Petersburg State Polytechnical University (Faculty of Physics and Technologies,Department of Solid State Physics）

2023年6月至今 副教授  南方科技大学 材料科学与工程系

2023年4月－2023年6月 助理教授 南方科技大学 材料科学与工程系

2016年1月－2022年12月 博士后研究员 维也纳技术大学微电子研究所

2025 年入选 Stanford/Elsevier 发布的 "World's Top 2% Scientists" 榜单

2024 年入选 Stanford/Elsevier 发布的 "World's Top 2% Scientists" 榜单

2024 年担任 IEEE Electron Devices Society 的 Electronic Materials Committee 副主席

2022 年获得 IEEE Senior Member 称号，美国

2020 年 Nature Communications 论文被 Editors 推荐，并入选该期刊年度 top 50 Physics 论文

2020 年担任 BRICS Young Scientist Forum（Material Science panel）俄罗斯代表团成员

2010 年获得 European Commission 的 Erasmus Mundus 奖学金

2026  Waqas Ahmad* Umer Younis, Muhammad Zubair Nawaz, Vijay Laxmi, Jinying Zhang, Wen Lei Qiandong Zhuang*Zhiming Wang*Yury Yuryevich Illarionov*“Interface Engineering with Graphene Contacts in VP/MoS2 Heterostructures for High-Performance, Durable, and Multispectral Photodetection” ACS Applied Materials & Interfaces, IF=8.5

2026  Jianming Huang, Arijit Sarkar, Yajing Chai, Yezhu Lv, Haihui Cai, Yehao Wu, Tania Roy*, Yury Yuryevich Illarionov*, “Long-Term Operational Stability of Dual-Gated ITO/HfO2 Field-Effect Transistors via Full Top-Gate Coverage: A Comprehensive Bias-Stress Mapping“, ACS nano, IF = 16.6

2026  Waqas Ahmad*, Majeed Ur Rehman, Qiandong Zhuang, Jinying Zhang, Wen Lei, Zhiming Wang, and Yury Illarionov*, “Engineering in 2D Violet Phosphorus/PdSe2 Van der Waals Heterostructures for Advanced Optoelectronics”, Communications Materials, IF = 9.6

2026  Y Z Lv, Y H Wu, H H Cai, Yu Yu Illarionov* “Mapping diverse hysteresis dynamics in scaled MoS2 FETs using the universal method derived from TCAD modeling” npj 2D Materials and Applications, IF=8.9

2025  Alexander Karl, Axel Verdianu, Dominic Waldhoer, Theresia Knobloch, Joël Kurzweil, Mina Bahrami, Mohammad Rasool Davoudi, Pedram Khakbaz, Bernhard Stampfer, Seyed Mehdi Sattari-Esfahlan, Yury Illarionov, Aftab Nazir, Changze Liu, Yu Zheng, Lorenzo Pettorosso, Dmitry Polyushkin, Thomas Müller, Saptarshi Das, Xiao Renshaw Wang, Junchuan Tang, Yichi Zhang, Congwei Tan, Ye Li, Hailin Peng, Michael Waltl & Tibor Grasser “A standardized approach to characterize hysteresis in 2D-materials-based transistors for stability benchmarking and performance projection” Nature Communications, IF=15.7 

Research ID:

Google scholar:https://scholar.google.ca/citations?user=1OgaLoQAAAAJ&hl=en