化梦媛副教授以实现高性能GaN基电力电子器件为目标，从半导体表面物理、界面态抑制技术、新型电力电子器件等方面开展研究，取得了高阈值电压、低导通损耗、大阈值摆幅、长工作寿命的GaN基电力电子器件的新突破，器件性能处于国际领先水平。近五年以第一/通讯作者发表SCI论文22篇（包括器件领域顶级期刊IEEE Electron Device Lett.论文4篇、Adv. Mater.封面论文1篇、Physics Review Lett. 1篇）、器件领域顶级国际会议IEDM论文2篇、功率半导体领域顶级国际会议ISPSD论文8篇等，共发表国际会议与期刊论文110余篇，论文总引用4461次（截至2025年8月），H因子35，第一作者论文单篇最高引用134次。研究工作多次被国际知名半导体评论杂志Semiconductor Today和Compound Semiconductor专题报道。申请人在本领域国内外学术会议上邀请报告8次，申请/授权国家发明专利5件， 2020年获IEEE ICSICT最佳青年科技论文奖，2021年受总编辑Giovanni Ghione教授邀请担任本领域权威国际期刊IEEE Trans. Electron Devices编辑， 2024-2025年担任器件领域国际顶级会议IEEE IEDM技术委员会委员，2023年获国家高层次人才特殊支持计划青年拔尖项目支持。

• 宽禁带半导体器件

• 氮化镓电⼒电⼦器件

• 半导体器件⼯艺

• 半导体器件物理可靠性

• 功率集成电路

• 新一代小型化电源应用

2013-2017：香港科技大学，电子与计算机工程系，博士学位

2009-2013：清华大学，数学物理基础科学班，学士学位

2024.05-至今：南方科技大学，电子与电气工程系，长聘副教授/研究员  

2018.09-2024.04：南方科技大学，电子与电气工程系，助理教授/副研究员

2017.09-2018.09： 香港科技大学，电子与计算机工程系，博士后

国家高层次人才特殊支持计划，2023

IEEE ICSICT “杰出青年科技论文奖” , 2020

深圳市海外⾼层次⼈才“孔雀计划”，2019

IEEE TED⾦牌审稿⼈，2018-2023

IEEE EDL⾦牌审稿⼈，2019-2023

IEEE ISPSD “最佳青年学者奖” （年度唯一获奖人），2017

[1] J. Tang#, Z. Jiang#, C. Wang, J. Chen, H. Chen, Y. Zhang, Z. Zheng, X. Wang, J. Ma, J. Zhao, J. Liu, Q. Sun, and M. Hua*, "Bipolar p-FET with Enhanced Conduction Capability on E-mode GaN-on-Si HEMT Platform," in 2023 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), December 9-13, 2023.

[2] M. Hua*, J. Chen, C. Wang, L. Liu, J. Wei, L. Zhang, Z. Zheng, and K. Chen, "E-mode p-FET-bridge HEMT for Higher VTH and Enhanced Stability," in 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, USA, December 12-18, 2020.

[3] J. Chen, J. Zhao, S. Feng, L. Zhang, Y. Cheng, H. Liao, Z. Zheng, X. Chen, Z. Gao, K. Chen, and M. Hua*, "Formation and applications in electronic devices of lattice-aligned gallium oxynitride nanolayer on gallium nitride," in Advanced Materials, vol. 35, no. 12, pp. 2208960, Jan. 2023.

[4] J. Zhao*, J. Fernández, A. Azarov, R. He, Ø. Prytz, K. Nordlund, M. Hua*, F. Djurabekova, and A. Kuznetsov*, "Crystallization Instead of Amorphization in Collision Cascades in Gallium Oxide," in Physical Review Letters, 134, 126101, Mar. 2025.

[5] Z. Jiang, X. Wang, J. Zhao, J. Chen, J. Tang, C. Wang, H. Chen, S. Huang, X. Chen, and M. Hua*, "Roles of Hole Trap on Gate Leakage of p-GaN HEMTs at Cryogenic Temperatures," in IEEE Electron Device Letters, vol. 44, no. 10, pp. 1612-1615, Oct. 2023.