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颜世超 副教授

办公室:上海科技大学物质科学与技术学院5号楼403E

电 话:+86-021-20685482

邮 箱:yanshch@shanghaitech.edu.cn

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个人简介

颜世超,上海科技大学物质科学与技术学院副教授(Tenured)

研究领域

  • 扫描隧道显微学

  • 强关联电子材料

  • 非常规超导


教育背景

2006-2012年:中国科学院物理研究所,获得博士学位

2008-2009年:美国加州大学尔湾分校,访问学生

2002-2006年:山东大学,获得学士学位

工作经历

2017-至今:  上海科技大学物质学院担任助理教授、副教授

2015-2017年:美国伊利诺伊大学香槟分校,博士后

2012-2015年:德国马克斯普朗克研究所,博士后


所获荣誉

2024年上海市东方英才计划领军项目

2018年上海市青年科技启明星(A类)

2017年国家海外高层次人才引进计划青年项目


代表文章

Research ID: https://orcid.org/0000-0002-7318-300X


* Corresponding authors;

# Equally contributed authors.

(1) H. Liu#, W. Li#, Z. Zhou#, H. Qu#, J. Zhang, W. Hu, C. Wen, N. Wang*, H. Deng*, G. Li*, S. Yan*, “Direct Evidence of Intrinsic Mott State and Its Layer-parity Oscillation in a Breathing Kagome Crystal down to Monolayer” 

Physical Review Letters 135, 076503 (2025)

(2) Z. Yang#, F. Zheng#, D. Wu#, B. Zhang#, N. Li, W. Li, C. Zhang*, G. Zhang, X. Chen, Y. Chen*, S. Yan*, “Spectroscopic Evidence of Symmetry Breaking in the Superconducting Vortices of UTe2”

National Science Review 12, nwaf267 (2025)

(3) C. Wen#, T. Qin#, X. Zhang#, M. Zhang#, W. Hu, S. Shen, Z. Yang, Y. Qi*, G. Li*, S. Yan*, “Probing Hidden Mott Gap and Incommensurate Charge Modulation on the Polar Surfaces of PdCrO2”

Physical Review Letters 131, 116501 (2023)

(4) S. Shen, C. Wen, P. Kong, J. Gao, J. Si, X. Luo, W. Lu, Y. P. Sun, G. Chen, S. Yan*, “Inducing and Tuning Kondo Screening in a Narrow-Electronic-Band System”

Nature Communications 13, 2156 (2022)

(5) C. Wen, J. Gao, Y. Xie, Q. Zhang, P. Kong, J. Wang, Y. Jiang, X. Luo, J. Li, W. Lu, Y. Sun*, S. Yan*, “Roles of the Narrow Electronic Band near the Fermi Level in 1T-TaS2-Related Layered Materials”

Physical Review Letters 126, 256402 (2021)


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